2024年2月20日，我国九峰山实验室成功研发并下线了首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，这一突破性成果标志着我国在硅基化合物光电集成技术领域迈出了坚实的步伐。

此次研发的8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，是通过将8寸SOI硅光晶圆与8寸铌酸锂晶圆键合，实现单片集成光电收发功能，代表了目前全球硅基化合物光电集成的最先进技术。这一成果不仅可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，而且其综合性能也是目前全球最优的光电集成芯片。

九峰山实验室联合重要产业合作伙伴，基于8寸薄膜铌酸锂晶圆，成功研发出与之匹配的深紫外(DUV)光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，实现了低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片的集成。这为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线，为高性能光通信应用场景提供了工艺解决方案。

近年来，随着5G通信、大数据、人工智能等行业的快速发展，光子集成技术受到了广泛关注。铌酸锂以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能以及优良的机械稳定性，被认为是理想的光子集成材料。而单晶薄膜铌酸锂则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了综合性能最优的解决方案。

此次九峰山实验室的成功研发，不仅验证了我国在光子集成技术领域的实力，也为我国光通信产业的发展注入了新的活力。我们相信，随着调制速率要求的提高，薄膜铌酸锂的优势将更加明显，将为未来的通信技术带来巨大的潜力。

光润通科技作为我国光通信领域的重要企业，一直致力于推动我国光通信技术的发展。我们对此项突破性成果感到欢欣鼓舞，并将继续与行业同仁一起，推动我国光通信技术的进步，为我国光通信产业的发展贡献力量。

预计2025年后，薄膜铌酸锂将逐渐商业化，全球范围内薄膜铌酸锂调制市场预计将在2029年达到20.431亿美元，在2023到2029年期间复合年均增长率达到41%。我们相信，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂光子集成芯片有望成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域发挥重要作用。

光润通科技将密切关注这一领域的发展，共同推动我国光子集成技术的发展，为我国光通信产业的繁荣做出更大贡献。